Импортозамещение?

Предисловие одного из авторов

Как многие мои друзья и коллеги знают, я много лет посвятил одной важной теме - технической диагностике. Это про то, как сделать так, чтобы технические устройства - самолеты, корабли, электростанции и другое промышленное оборудование ломалось меньше, а если и ломалось, то предсказуемо, по-тихому, без человеческих жертв и техногенных катастроф. Техническая диагностика - тема чрезвычайно широкая, много в ней различных направлений, методов, методик и приборов. Зона моих интересов - оптический контроль с применением соответствующих оптических приборов - эндоскопов, микроскопов и т.д. Сразу надо сказать, производство таких приборов тема сложная, а некоторые в России вообще не делают, например, технические измерительные видеоэндоскопы. Но партия сказала - "Импортозамещение", народ ответил - "есть"! И как начал импортозамещать, только шуба заворачивается ... Вот и достался нам по случаю один из таких "Сделанных в России" приборов - видеоэндоскоп VE-200 от ООО "Лазертех", причем как обычно... "Разработан для оборонки", "радиационно стойкий", работает почти "вечно" (наверное на ядерном реакторе) и т.д. И сделали наши спецы небольшой обзор... Читайте, завидуйте.. я, конечно, гражданин... но импортозамещать нужно правильно. Документ в PDF формате

В Брянске запустили производство транзисторов и микросхем для смартфонов и ноутбуков

«Группа Кремний ЭЛ» запустила в Брянске серийное производство транзисторов и микросхем с проектными нормами 500 нанометров для цифровой техники: смартфонов, ноутбуков, фотоаппаратов и другой аппаратуры. Ранее Фонд развития промышленности (ФРП) предоставил предприятию льготный заем на реализацию этого проекта.

В рамках проекта «Группа Кремний ЭЛ» запустила новое серийное производство транзисторов и интегральных микросхем с проектными нормами 500 нанометров в малогабаритных корпусах, которые используются в блоках вторичного питания различной цифровой техники, например, в ноутбуках, смартфонах, фотоаппаратах и автомобильных видеорегистраторах. Кроме того, компания наладила выпуск микросхем супервизоров вторичного электропитания.

К 2022 году компания планирует выпустить транзисторы и микросхемы на сумму более 825 млн рублей. Основными потребителем готовой продукции выступят производители техники ПТЗ «Телта», «Концерн радиостроения «Вега», а также концерны «Алмаз-Антей», «Созвездие», «Авиаприборостроение», «Роскосмос», «Росатом».

На текущий момент доля иностранных производителей на рынке транзисторов и интегральных микросхем в микрокорпусах, которые используются в блоках вторичного питания, по данным компании, превышает 95%. Благодаря реализации проекта этот показатель снизит ся до 30%.

«В настоящее время в России отсутствует современное конкурентоспособное производство интегральных микросхем и транзисторов для цифровой техники. Именно поэтому внутренний рынок почти на 100% зависит от иностранных поставщиков. Благодаря поддержке от ФРП мы сможем заместить зарубежную продукцию и предоставить российским производителям качественные отечественные микросхемы и транзисторы», — рассказал генеральный директор «Группа Кремний ЭЛ» Олег Данцев.

В 2017 году ФРП предоставил брянскому производителю заем на сумму 200 млн рублей по программе «Конверсия». Проект «Группа Кремний ЭЛ» стал первым открытым производством в рамках этой программы в регионе, запущенным с привлечением займа ФРП. Общий размер инвестиций в производство составил более 400 млн рублей.

С помощью льготных средств компания приобрела современное высокотехнологичное оборудование, в том числе сканирующий электронный микроскоп, многоканальную измерительную систему, систему нанесения и проявления, установку безмаскового совмещения и экспонирования, линию сборки.

Использование современного оборудования позволило выйти на более высокий технологический уровень, улучшить качество, временные и частотные характеристики изделий, снизить доля брака, уменьшить размеры кристалла, а также снизить трудоемкость и материалоемкость изготовления.

В планах компании — освоить новое серийное производство интегральных микросхем и транзисторов: с проектными нормами 350 нанометров, уже для более сложных изделий.